SJ 50033.149-2000 半导体分立器件2CW100～121型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范
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ID： |
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0.55 |
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11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/149—2000,半导体分立器件,2CW10〇.121型玻璃钝化封装硅,电压调整二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2CW100.121 glass passivation package,silicon voltage-requlator diodes,2000-10-20 发布2000-10-20 实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,2c阳。0.121型玻璃钝化封装硅,电压调整:极管详细规范,SJ 50033/149—2000,Semiconductor discrete devices,Detail specification for types 2CW100~121,glass passivation package silicon voltage-requlator diodes,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 2CW100.121型玻璃钝化封装硅电压调整二极管（以下简称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按照GJB 33A《半导体分立器件总规范》131的规定,提供的器件质量保证等级为普,军、特军和超特军三级,分别用字母JP、JT和JCT表示,2引用文件,GB"6671—1995半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调整二,极管,GB" 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB33AT7半导体分立器件总规范,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各条耍求应按照GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布 2000-10-20实施,-1 -,SJ 50033/149—2000,器件的设计和结构应按GJB 33A和本规范的规定,3. 2.1引出端材料和镀涂,引出端材料为无氧铜,引出端表面应镀锡,3. 2.2器件的结构,器件是采用硅台平结构,玻璃钝化实体封装,芯片和引线之间采用冶金键合,3. 2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB/T7581中的D2 — 10A型及本规范的规定（见图1）,L G,mm,、弋号,符号,D2—10A,min nom max,埶0.72 0.87,d>D 23.5,G 5.0,L 25,ム1.5,ゼ12.5,注:1）ム为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度,图1外形图,3.3最大额定值和主要光电特性,3. 3.1最大额定值,注:1）な＞25第时,按8mW/K线性地降额,\参数,、、d限公^,型号,p ロ1 tot,rA=25 ℃,w,4s M,mA,4m,mA,T op,℃,T1,Stg,℃,2CW10〇.121 1 表6第8栏表6第7栏-55.150 -55-175,-2 -,下载,SJ 50033/149—2000,3. 3.2主要光电特性（ム=25。〇,、、参数,型号、、,匕,を=表6第4栏,V,ら,ム之表6第4栏,C,ルポ1 nxA,Q,氏,右=表6第9栏,V,avz,片表6第4栏,V,2CW100-121,最小值最大值最大值最大值最大值最大值,表6第,3栏,表6第,2栏,表6第5栏表6第6栏表6第10栏表6第14栏,3.4电测试要求,电测试应符合GB" 6571及本规范的规定,3.5标志,标志应符合GJB 33A和本规范的规定。器件标志为极性和型号,型号中省略“2C”字,样,如2CW108标志为“W108”,4质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33A和本规范的规定,4.2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33A和本规范A组、B组、C组和E组检验的规定,4.3筛选（仅对JT和JCT级）,筛选应按GJB 33A表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超出本,规范表1极限值的器件应予剔除,筛选要求,步骤和项目,试验方法,GJB 128A,条件要 求,1.内部目检（不适用）,2.高温寿命1032 ^175 ℃, t=96 h,3.温度循环（空任一空气） 1051 试验条件G,循环次数:20次,4.恒定加速度（不适用）,7,密封（不适用）,10.高温反偏（不适用）,11. PDA的中间电参数测试和,（4）变化量,按本规范表1的A2分组测ル和ん,12.功率老炼1038 试验条件B 7a=25 ℃,外加电流/z见表6第7栏,时间:至少96h,-3 -,SJ 50033/149—2000,续表,步骤和项目,试验方法,GJB 128A,条 件要 求,13.终点测试PDA的中间电,参数d参数,按本规范表1的A2分组1班」近初始值的100%或,1.0 J1A取较大者,初始值的2.5%,14.密封（不适用）,4.4质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33A和本规范的规定,4. 4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33A和本规范表1的规定进行,4. 4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33A.和本规范表2的规定进行,4. 4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33A和本规范表3的规定进行,4.5检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定进行,4. 5.1浪涌电流,在二极管上反向施加表6第8栏中规定的峰值电流,并且这一峰值电流应与电流ん（表,6第4栏）叠加,每个浪……
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